IX2204NE全国供应商【买卖IC网】IX2204NE资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

IX2204NE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
热卖IC专业销售电话010-62104...

IX2204NE
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
IXYS Integrated Circuits
标准封装
16+
-
假一罚十

IX2204NE
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4850
IXYS INTE
管件
1521+
-
全新原装现货

IX2204NE
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
IXYS Integrated Circuits
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

IX2204NE
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
123
IXYS Integrated Circuits
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存

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功能描述
IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC
制造商
ixys integrated circuits division
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
驱动配置
低压侧
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
IGBT
电压 - 电源
-10 V ~ 25 V
逻辑电压?- VIL，VIH
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
2A，4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
-
上升/下降时间（典型值）
-，8ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
16-SOIC
标准包装
50

IX2204NE 技术参数

IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:23ns，14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:14-SOIC 标准包装:50 IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:* 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IX2127N 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) IX2127G 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M IX2120BTR 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:15 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:9.4ns，9.7ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:28-SOIC 标准包装:1 IX2C11S1T/R IX2D11P7 IX2D11S7 IX2D11S7T/R IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR IX3180G IX3180GS IX3180GSTR