IX3120GE

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IX3120GE
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
IXYS Integrated Circuits
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

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IX3120GE 技术参数

IX3120G 功能描述:2.5A Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:有效技术:光学耦合通道数:1 电压 - 隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/μs 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:500ns，500ns 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.24V 电流 - DC 正向（If）:20mA 电压 - 电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-DIP 认可:UR 标准包装:50 IX2R11S3T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX2R11S3 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IX2R11P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 2A 14-PDIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IX2R11M6T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX4423MTR IX4423N IX4423NTR IX4424MTR IX4424N IX4424NG IX4424NTR IX4425MTR IX4425N IX4425NTR IX4426MTR IX4426N IX4426NTR IX4427MTR IX4427N IX4427NTR IX4428MTR IX4428N