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参数资料
| 型号： | IBM0117405 |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 11/11 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 23/31页 |
| 文件大小： | 545K |
| 代理商： | IBM0117405 |
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IBM0117405
IBM0117405B IBM0117405P
4M x 4 11/11 EDO DRAM
IBM0117405M
28H4726
SA14-4228-05
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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RAS Only Refresh Cycle
RAS
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Address
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OUT
V
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V
OL
Row
t
RAS
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RP
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RAH
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ASR
Hi-Z
: “H” or “L”
NOTE : WE, OE and D
IN
are “H” or “L”
t
RPC
t
CRP
CAS
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0117405B | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405M | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405P | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117805 | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805B | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
| IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
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