1N4622-TR

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功能描述
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4622-TR 技术参数

1N4622-1 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1650 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N4622 TR 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1650 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N4622 BK 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1650 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N4621UR-1 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1700 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3.5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4621UR 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1700 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3.5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4624UR 1N4625 BK 1N4625 TR 1N4625-1 1N4625UR 1N4626 BK 1N4626 TR 1N4626-1 1N4626UR 1N4627 BK 1N4627 TR 1N4627-1 1N4627UR 1N462A 1N4678 (DO35) 1N4678 BK 1N4678 TR 1N4678UR-1