1N4756A-TR_代理商_批发/采购【买卖IC网】1N4756A-TR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4756A-TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
VS
原装正品
07+
-
假一罚十，百分百原装正品

1N4756A-TR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
94
VISHAY
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

1N4756A-TR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
94
VISHAY
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

1N4756A-TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

1N4756A-TR
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
94
VISHAY
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

1N4756A-TR
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
5244
Vishay Semiconductor Diod
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

1N4756A-TR
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
100
VISHAY
C06-二极管
-

1N4756A-TR
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

1/1页 40条/页共17条
1

您是不是要找： 1N4756AUR 1N4756CE3/TR13 1N4756CP/TR12 1N4756CP/TR8 1N4756CPE3/TR12 1N4756CPE3/TR8 1N4756E3/TR13 1N4756G A0G 1N4756G R0G

1N4756A-TR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N4756A-TR PDF下载

功能描述
稳压二极管 47 Volt 1.3 Watt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4756A-TR 技术参数

1N4756A-TP 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 35.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41G 标准包装:1 1N4756A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 47V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 35.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 1N4756ATA 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 35.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4756A-T 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 35.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4756APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 35.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4756P/TR12 1N4756P/TR8 1N4756PE3/TR12 1N4756PE3/TR8 1N4757 G 1N4757A 1N4757A A0G 1N4757A B0G 1N4757A BK 1N4757A G 1N4757A R0G 1N4757A R1G 1N4757A TR 1N4757A_T50A 1N4757A_T50R 1N4757AE3/TR13 1N4757AHA0G 1N4757AHB0G

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购1N4756A-TR进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买1N4756A-TR产品风险，建议您在购买1N4756A-TR相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的1N4756A-TR信息由会员自行提供，1N4756A-TR内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

1N4756A-TR

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式