1N5062TAP

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说明
操作

1N5062TAP
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
15600
vishay
原厂原封装
2023+
-
全新原装部分发货3-5天

1N5062TAP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
vishay
5000ammo
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

1N5062TAP
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
VIS
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

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功能描述
整流器 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N5062TAP 技术参数

1N5062GPHE3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N5062GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:4,000 1N5062GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N5062GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5061TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 2.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5188 1N5188US 1N5189 1N5189US 1N5190 1N5194 1N5194UR 1N5195 1N5195UR 1N5196 1N5196UR 1N5221A 1N5221A (DO-35) 1N5221B 1N5221B (DO-35) 1N5221B A0G 1N5221B BK 1N5221B TR