1N5183

配单专家企业名单

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说明
操作

1N5183E3
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
64
Microchip
瑞智芯只有原装
21+
-

1N5183E3
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
50425
Microchip Technology
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 7.5KV 0.1A 2-Pin Case S
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY RECTFR 7.5KV 0.1A 2PIN S - Bulk

1N5183 技术参数

1N5182 功能描述:DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:5000V（5kV）电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:S，轴向供应商器件封装:S，轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5181 功能描述:DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:4000V（4kV）电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:S，轴向供应商器件封装:S，轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5062TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 2.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5062TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.15V @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5062GPHE3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N5190 1N5194 1N5194UR 1N5195 1N5195UR 1N5196 1N5196UR 1N5221A 1N5221A (DO-35) 1N5221B 1N5221B (DO-35) 1N5221B A0G 1N5221B BK 1N5221B TR 1N5221B_T50R 1N5221BDO35 1N5221BDO35E3 1N5221B-T