1N5245B-TB

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1N5245B-TB 技术参数

1N5245B-TAP 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5245BTA 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:16 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 10.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5245B-T 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5245BDO35 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5245B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5246B 1N5246B (DO-35) 1N5246B A0G 1N5246B BK 1N5246B TR 1N5246B_S00Z 1N5246B_T50A 1N5246B_T50R 1N5246B-T 1N5246BTA 1N5246B-TAP 1N5246B-TP 1N5246BTR 1N5246B-TR 1N5246BUR-1 1N5246C-TAP 1N5246C-TR 1N5246TA