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1N5611JAN

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • 1N5611JAN
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  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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1N5611JAN 技术参数
  • 1N5611 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5610 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):30.5V 电压 - 击穿(最小值):33V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):32A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:G,轴向 供应商器件封装:G,轴向 标准包装:1 1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):175V 电压 - 击穿(最小值):191V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5557 功能描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):49V 电压 - 击穿(最小值):54V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):19A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5556 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):40.3V 电压 - 击穿(最小值):43.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):24A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54
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