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1N5804USJANTX

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
1N5804USJANTX 技术参数
  • 1N5804US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5804 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5803 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5802US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5802 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5806USE3/TR 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814
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