1N5806E3

配单专家企业名单

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说明
操作

1N5806E3
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

1N5806E3
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
169
Microchip
瑞智芯只有原装
21+
-

1N5806E3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
MICROSEMI
AXIAL
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N5806E3
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Microsemi
22+
-
原装正品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1N5806E3 - Bulk

1N5806E3 技术参数

1N5806C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5806/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:A，轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N5806 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 3.3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:3.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5805 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5804US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R 1N5815 1N5815R 1N5816