1N601206

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1N601206
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
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1N601206 技术参数

1N6011UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6011UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6011D 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6011C 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6011B-TP 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6012UR-1 1N6013A 1N6013B 1N6013B BK 1N6013B_T50A 1N6013B_T50R 1N6013B-TP 1N6013C 1N6013D 1N6013UR 1N6013UR-1 1N6014A 1N6014B 1N6014B_T50A 1N6014B_T50R 1N6014C 1N6014D 1N6014UR