1N6381RL4

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制造商
ONSEMI
制造商全称
ON Semiconductor
功能描述
1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

1N6381RL4 技术参数

1N6381G 功能描述:TVS DIODE 45VWM 78.9VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:散装零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:45V 电压 - 击穿（最小值）:52.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:500 1N6380RL4G 功能描述:TVS DIODE 36VWM 65.2VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:65.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6380RL4 功能描述:TVS DIODE 36VWM 65.2VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:65.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1,500 1N6380G 功能描述:TVS DIODE 36VWM 65.2VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:65.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:500 1N6380 功能描述:TVS DIODE 36VWM 65.2VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包装:散装零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:65.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:500 1N6383-E3/54 1N6383-E3/73 1N6383HE3/51 1N6383HE3/54 1N6383HE3/73 1N6383HE3_A/C 1N6383HE3_A/D 1N6384-E3/51 1N6384-E3/54 1N6384-E3/73 1N6384HE3/51 1N6384HE3/54 1N6384HE3/73 1N6384HE3_A/C 1N6384HE3_A/D 1N6385-E3/51 1N6385-E3/54 1N6385-E3/73