1N645-1TR

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1N645-1TR
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
34000
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

1N645-1TR
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
34000
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

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您是不是要找： 1N645UR-1 1N6461 1N646-1 1N6461US 1N6461US/TR 1N6462 1N6462US 1N6463 1N6463US

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1N645-1TR 技术参数

1N645-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N645-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6392 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:54A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:820mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:3000pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6391 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6386HE3_A/D 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带盒（TB）零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V 电压 - 击穿（最小值）:21.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:25.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:50A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000 1N6464 1N6464US 1N6465 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472