1N6463JX

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： 1N6463US 1N6464 1N6464US 1N6465 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US

1N6463JX PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N6463JX 技术参数

1N6463 功能描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:125A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6462US 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6462 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6461US/TR 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:56A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:100 1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US 1N6475 1N6475US 1N6476