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1N914B A0G

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带盒(TB)
  • 零件状态
  • 在售
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 100V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 150mA
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 720mV @ 5mA
  • 速度
  • 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间(trr)
  • 4ns
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 75V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 4pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-35
  • 工作温度 - 结
  • -65°C ~ 150°C
  • 标准包装
  • 5,000
1N914B A0G 技术参数
  • 1N914B 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N914ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 1N914A_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:30,000 1N914A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:2,000 1N914_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 1N914BWS 1N914BWS RRG 1N914BWT 1N914-T50A 1N914TAP 1N914-TP 1N914TR 1N914TR_S00Z 1N914UR 1N916 1N916_T50R 1N916A 1N916A_T50R 1N916ATR 1N916B 1N916B_T50R 1N916TR 1N935A
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