1SS355-TP

配单专家企业名单

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封装
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说明
操作

1SS355-TP
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
MCC/美微科
SOD-323
23+
-
原装正品欢迎咨询

1SS355-TP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4850
MICRO COM
1521+
-
全新原装现货

1SS355-TP
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
23076
MCC/美微科
SOD-323
21+
-
原厂原装现货

1SS355-TP
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
3000
MCC
SOD-323
假一赔十！
-
原装自己现货！！

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制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
Diode Switching 90V 0.1A 2-Pin SOD-323 T/R
制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
DIODE SWITCHING 80V 0.1A SOD323
制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
Sgle .1A, 90V

1SS355-TP 技术参数

1SS355TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS355 RRG 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 500mV，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1SS352,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76A 供应商器件封装:SC-76-2 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS351-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基 - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:5V 电流 - 最大值:30mA 不同?Vr，F 时的电容:0.9pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 1SS319(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SC-61B 标准包装:1 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP