1SS389/S4

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1SS389/S4
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
23763
TOSHIBA/东芝
SOD-423
21+
-
原厂原装现货

1SS389/S4
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
TOSHIBA
0+
-
假一罚十，百分百原装正品

1SS389/S4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TOSHIBA
SOD-523
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1SS389/S4
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
TOSHIBA
SOD-5230603
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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您是不是要找： 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF

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1SS389/S4 技术参数

1SS389,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 10V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS389,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS388-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 100MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:8,000 1SS387CT,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1.6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:CST2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS387,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R 1SS400T1 1SS400T1G 1SS400T5G 1SS400TE61 1SS400-TP 1SS401(TE85L,F) 1SS402TE85LF 1SS403,H3F