2N5546JTX02

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制造商
Vishay Siliconix
功能描述
TRANS JFET N-CH 6PIN TO-71 - Bulk

2N5546JTX02 技术参数

2N5546JTX01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:20 2N5545JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:1 2N5545JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N5545JTX01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:1 2N5486RLRPG 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5550G 2N5550RLRA 2N5550RLRAG 2N5550RLRP 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TF 2N5550TFR 2N5551 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA