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2SA2029TR

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2SA2029TR 技术参数
  • 2SA2029T2LR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SA2029T2LQ 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SA2029M3T5G 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:265mW 频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SOT-723 标准包装:1 2SA2028G0L 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SA202800L 功能描述:TRANS PNP 20V 1A S-MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:170MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L 2SA207800L 2SA2078G0L 2SA207900A 2SA2088T106Q 2SA2090TLQ 2SA2090TLR 2SA2092TLQ 2SA2092TLR 2SA2093TV2Q 2SA2094TLQ 2SA2099 2SA2112-AN
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