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2SB1261-AZ

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  • 2SB1261-AZ/2SD1899-AZ
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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

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  • TO251

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  • 全新原装现货供应

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    2SB1261-AZ

    2SB1261-AZ

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • TO-126

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SB1261-AZ
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • TO-126

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SB1261-AZ-E1
    2SB1261-AZ-E1

    2SB1261-AZ-E1

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 380000

  • NEC

  • TO-251

  • 14+pb

  • -
  • 全新原装现货,假一罚十

  • 2SB1261-AZ
    2SB1261-AZ

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 57225

  • RENESAS

  • TO-251

  • 10+pb

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SB1261-AZ
    2SB1261-AZ

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NEC

  • TO251

  • 最新批号

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  • 制造商
  • Renesas Electronics
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • PNP PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252
  • 制造商
  • Renesas
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252
2SB1261-AZ 技术参数
  • 2SB1260T100R 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1260T100Q 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1260T100P 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SB1259 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 10A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 10mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 5A,4V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SB1258 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 6mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 3A,2V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SB1316TL 2SB1320A0A 2SB1321A0A 2SB1322A0A 2SB1326TV2Q 2SB1326TV2R 2SB1351 2SB1375,CLARIONF(M 2SB1382 2SB1383 2SB1386T100Q 2SB1386T100R 2SB13980PA 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA
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