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2SB1267

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  • 2SB1267
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    2SB1267

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • SAY

  • N/A

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2SB1267
    2SB1267

    2SB1267

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 10340

  • SAY

  • TO-251/TO-252

  • 2024+

  • -
  • 不怕你不买只怕你不问

  • 2SB1267
    2SB1267

    2SB1267

  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
    深圳市奥伟斯科技有限公司

    联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理

    电话:0755-83254770

    地址:深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层

    资质:营业执照

  • 30000

  • SANYO

  • 251 252

  • 18+

  • -
  • 长期供应

  • 2SB1267
    2SB1267

    2SB1267

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 13000

  • isc,iscsemi

  • I2PAK/TO-262

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 2SB1267
    2SB1267

    2SB1267

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • TO-252(DPAK)

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 2SB1267
    2SB1267

    2SB1267

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-220MF

  • SANYO

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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2SB1267 技术参数
  • 2SB1260T100R 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1260T100Q 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1260T100P 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SB1259 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 10A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 10mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 5A,4V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SB1258 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 6mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 3A,2V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SB1316TL 2SB1320A0A 2SB1321A0A 2SB1322A0A 2SB1326TV2Q 2SB1326TV2R 2SB1351 2SB1375,CLARIONF(M 2SB1382 2SB1383 2SB1386T100Q 2SB1386T100R 2SB13980PA 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA
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