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2SC5201(F)

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  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • NPN
  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • NPN Bulk
2SC5201(F) 技术参数
  • 2SC5200RTU 功能描述:TRANS NPN 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):17A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:25 2SC5200OTU 功能描述:TRANS NPN 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):17A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:25 2SC5200-O(Q) 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-3PL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PL 供应商器件封装:TO-3P(L) 标准包装:1,000 2SC5200N(S1,E,S) 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-3PL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P(N) 标准包装:150 2SC5200 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-264 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:25 2SC5231A-8-TL-E 2SC5231A-9-TL-E 2SC5231C8-TL-E 2SC5232BTE85LF 2SC5233BTE85LF 2SC5242-O(Q) 2SC5242OTU 2SC5242RTU 2SC5245A-4-TL-E 2SC5277A-2-TL-E 2SC5287 2SC5291S-AY 2SC5336-AZ 2SC5336-T1-AZ 2SC5337-AZ 2SC5338-AZ 2SC5338-T1-AZ 2SC5347AE-TD-E
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