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2SD1623-T1B

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2SD1623-T1B 技术参数
  • 2SD1623S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SD1620-TD-E 功能描述:TRANS NPN 10V 3A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 60mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 3A,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SD1618T-TD-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SD1618S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SD1535 功能描述:TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):7A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 70mA,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):500 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-A1 标准包装:100 2SD16330P 2SD16400Q 2SD16400R 2SD16450R 2SD1664T100P 2SD1664T100Q 2SD1664T100R 2SD1683S 2SD1683T 2SD1685F 2SD1685G 2SD17050P 2SD17070P 2SD1733TLP 2SD1733TLQ 2SD1733TLR 2SD1757KT146Q 2SD1757KT146R
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