2SD1963T100R

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SD1963T100R
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ROHM
SOT-89
02+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SD1963T100R
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ROHM SEMI
1521+
-
全新原装现货

2SD1963T100R
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
10000
ROHM
SOT89
21+
-
原厂原装现货

2SD1963T100R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Sipusemi
SOT-89
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SD1963T100R 技术参数

2SD1949T106R 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD1949T106Q 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD1938FTL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:800 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD1938FSL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD1918TLQ 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SD19960RA 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E