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2SD2444KT146R/BSR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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2SD2444KT146R/BSR 技术参数
  • 2SD2444KT146R 功能描述:TRANS NPN 15V 1A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 20mA,400mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD244100L 功能描述:TRANS NPN 10V 1.5A MINIPWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 25mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 400mA,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SD2439 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 10A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 7mA,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):5000 @ 7A,4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:55MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SD2438 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 8A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 6mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):5000 @ 6A,4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SD2420AP 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 20mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):4000 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220D-A1 标准包装:50 2SD2560 2SD2561 2SD2562 2SD256500A 2SD25730QA 2SD25980RA 2SD2607FU6 2SD2620G0L 2SD2620J0L 2SD262100L 2SD2621G0L 2SD262300L 2SD2623G0L 2SD2641 2SD2642 2SD2643 2SD2652T106 2SD2653KT146
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