2SD2652F06

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2SD2652F06 技术参数

2SD2643 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:110V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SD2642 功能描述:TRANS NPN 110V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:110V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SD2641 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:110V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SD2623G0L 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SD262300L 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SMINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SD2661T100 2SD2662T100 2SD2670TL 2SD2671TL 2SD2672TL 2SD2673TL 2SD2674TL 2SD2675TL 2SD2679T100 2SD2695(T6CANO,A,F 2SD2695(T6CANO,F,M 2SD2695(T6CNO,A,F) 2SD2695,T6F(J 2SD2695,T6F(M 2SD2696T2L 2SD2700TL 2SD2701TL 2SD2702TL