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2SK2145-GR(TE85L,F

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

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    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 原厂封装

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  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

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    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

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    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 50V SMV
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH
2SK2145-GR(TE85L,F 技术参数
  • 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):6mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500μA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SK209-GR(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500μA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SK209-BL(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500μA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL
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