40EPF-HV

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功能描述

40EPF-HV 技术参数

40EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:450ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40EPF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:450ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40EPF06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:180ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40EPF04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:180ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40EPF02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:180ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40F120E 40F125 40F125E 40F12K 40F12KE 40F12R 40F12RE 40F13K 40F13KE 40F150 40F150E 40F15K 40F15KE 40F15R 40F15RE 40F17K 40F17KE 40F180