6A800V

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6A800V 技术参数

6A8 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A6-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A6TA 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 6A6-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 6A60GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 6AM-6PA 6AQ150KEBSA 6AT1 6AT10 6AT102 6AT10-T 6AT124-T 6AT13 6AT13-T2 6AT158-T2 6AT17 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3