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70V659S15BCI

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70V659S15BCI 技术参数

70V659S15BC8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 4.5MBIT 128KX36 15NS 256BGA - Tape and Reel 70V659S15BC 功能描述:静态随机存取存储器 128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V659S12DRI 功能描述:静态随机存取存储器 128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V659S12DRGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 12ns 208-Pin PQFP T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 4.5MBIT 128KX36 12NS 208PQFP - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 70V659S12DRGI 功能描述:静态随机存取存储器 128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V7319S166BC 70V7319S166BC8 70V7319S166BCGI 70V7319S166BF 70V7319S166BF8 70V7319S200BC 70V7319S200BC8 70V7339S133BC 70V7339S133BC8 70V7339S133BCI 70V7339S133BCI8 70V7339S133BF 70V7339S133BF8 70V7339S133BFI 70V7339S133BFI8 70V7339S166BC 70V7339S166BC8 70V7339S166BCGI