ALD110814_12

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " ALD110814_12 " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： ALD110814PCL ALD110814SCL ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL ALD110900ASAL ALD110900PAL ALD110900SAL ALD110902PAL

ALD110814_12 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ALD110814_12 PDF下载

制造商
ALD
制造商全称
Advanced Linear Devices
功能描述
QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY

ALD110814_12 技术参数

ALD110808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48 ALD110808PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ALD110808ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:810mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48 ALD110808APCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:810mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ALD110804SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:420mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48 ALD110902SAL ALD110904PAL ALD110904SAL ALD110908APAL ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL ALD110914PAL ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL