ALD1108EPC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ALD1108EPC
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
N/A
DIP-16P
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

ALD1108EPCL
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Advanced Linear Devices I
16-PDIP
17+
-
全新原装现货

ALD1108EPC
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ALD
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

ALD1108EPC
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
220
ALD
DIP16
2012+
-
只做原装正品

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制造商
ALD
制造商全称
Advanced Linear Devices
功能描述
QUAD/DUAL ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ANALOG DEVICE (EPAD⑩)

ALD1108EPC 技术参数

ALD110814SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48 ALD110814PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ALD110808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48 ALD110808PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ALD110808ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:810mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48 ALD110904SAL ALD110908APAL ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL ALD110914PAL ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL ALD111910MAL ALD111910PAL