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AO3402-

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 深圳市桂鹏科技有限公司
    深圳市桂鹏科技有限公司

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AO3402- 技术参数
  • AO3402 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):390pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3401AL_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 AO3401AL 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 4A SOT23-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:初步 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):645pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.4W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23-3 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:3,000 AO3401A 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):44 毫欧 @ 4.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3400A_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 AO3409 AO3409_103 AO3413 AO3414 AO3414L AO3414L_105 AO3415 AO3415_108 AO3415A AO3415AL AO3415AL_103 AO3415B AO3415L_107 AO3416 AO3416_104 AO3418 AO3418_101 AO3419
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