AO4435_103

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AO4435_103
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Alpha & Omega Semiconduct
8-SO
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
14 毫欧 @ 11A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1400pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1

AO4435_103 技术参数

AO4435_102 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4435 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4433 功能描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4430 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7270pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4427 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 12.5A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2900pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4444 AO4446 AO4447 AO4447A AO4448 AO4448L AO4449 AO4449L AO4450 AO4450_101 AO4450L AO4452 AO4453 AO4454 AO4455 AO4456 AO4459 AO4459L