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AO7422E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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AO7422E 技术参数
  • AO7417 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.9A SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):745pF @ 10V 功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:3,000 AO7415 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):620pF @ 10V 功率 - 最大值:630mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 AO7414_001 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 AO7414 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:3,000 AO7413_030 功能描述:MOSFET P-CH SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):4.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):113 毫欧 @ 1.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SC-70-3 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:3,000 AO8804 AO8804_100 AO8804L AO8807 AO8808A AO8810 AO8810#A AO8814 AO8814#A AO8818 AO8820 AO8822 AO8822#A AO8830 AO9926B AO9926BL AO9926BL_101 AO9926C
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