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AOD5N40+其他被动元件

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AOD5N40+其他被动元件 技术参数
  • AOD5N40 功能描述:MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD5B65N1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,5A 功率 - 最大值:52W 开关能量:81μJ (开), 49μJ (关) 输入类型:标准 栅极电荷:9.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:8ns/73ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):170ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.98V @ 15V,5A 功率 - 最大值:69W 开关能量:80μJ(开),70μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):195ns 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 AOD5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 54.4W TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.8V @ 15V, 5A 功率 - 最大值:54.4W 开关能量:140μJ(开),40μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/82ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):98ns 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Ta),70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.2W(Ta),24W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936
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