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AOD604.

配单专家企业名单
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  • AOD604.
    AOD604.

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 15862

  • A

  • TO252-..

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货热卖

  • AOD604.
    AOD604.

    AOD604.

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • A

  • TO252-5L

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • AOD604.
    AOD604.

    AOD604.

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 12150

  • AO

  • TO252-5L

  • 06+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
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AOD604. 技术参数
  • AOD604 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W,1.7W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-6,DPak(5 引线 + 接片) 供应商器件封装:TO-252-5 标准包装:1 AOD603A 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道,共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A,3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD5T40P_101 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):273pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):52W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.45 欧姆 @ 1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD5T40P 功能描述:MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.45 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):273pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD5N50M 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):670pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):104W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 2.5A,10V 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60
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