供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
在线询价
QQ咨询
1
AOD608
参数信息:

制造商:AOSMD

制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors

功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOD608技术参数

AOD609 功能描述:MOSFET COMPL 40V 12A TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR AOD609_09 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor AOD661 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 12A, 10V, 22.5 毫欧 @ 9.7A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):760pF @ 15V 功率 - 最大值:15.6W, 31W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD6N50 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 AOD7B65M3 功能描述:IGBT 650V 7A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.35V @ 15V, 7A 功率 - 最大值:69W 开关能量:108μJ (开), 99μJ (关) 输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:6ns/79ns 测试条件:400V, 7A, 43 欧姆, 15V 反向恢复时间(trr):212ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD7N60 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO252 AOD7N65 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO252 AOD7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 AOD7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 AOD8N25 功能描述:MOSFET N CH 250V 8A TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA