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AON6134DI

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AON6134DI 技术参数
  • AON5820_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 10A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN(2x5) 标准包装:1 AON5820 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 10A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:5,000 AON5816 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 12A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 12A, 4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2170pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:5,000 AON5810 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 7.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1360pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:5,000 AON5802B_101 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:3,000 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242 AON6244 AON6246 AON6248 AON6250 AON6260 AON6262E
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