AON6532P

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说明
操作

AON6532P
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
50000
AO
DFN-85X6
21+
-
原厂原装现货

AON6532P
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
22+
56
QFN20
-
进口原装现货支持实单价优

AON6532P
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
AO
DFN-856
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

AON6532P
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4083
AOS
DFN8
2234+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CH DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
710mV @ 1A
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
17.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1080pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35.5W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.1 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
标准包装
3,000

AON6532P 技术参数

AON6532 功能描述:MOSFET N CH 30V 27A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），68A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1080pF @ 15V 功率 - 最大值:5.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6530 功能描述:MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28.5A（Ta），72A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1315pF @ 15V 功率 - 最大值:5.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6528 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1037pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6526 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），32A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1229pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6524_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5.7W（Ta），35.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6560 AON6562 AON6566 AON6566_MSI AON6566P AON6572 AON6576 AON6578 AON6586 AON6588 AON6590 AON6594 AON6596 AON6598 AON6702 AON6718L_101 AON6748_101 AON6748_102