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AON7530

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市诚创信科技有限公司
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AON7530 技术参数
  • AON7528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2895pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7526 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 AON7524 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2250pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7522E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Ta),34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1540pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7520 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):48A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):105nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4175pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 标准包装:1 AON7568 AON7611 AON7700 AON7702 AON7702A_101 AON7702B AON7752 AON7754 AON7758 AON7758_001 AON7760 AON7764 AON7784 AON7788 AON7804 AON7804_102 AON7810 AON7812
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