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AOTF11N602SK4086

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AOTF11N602SK4086 技术参数
  • AOTF11C60PL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2333pF @ 100V 功率 - 最大值:37W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF11C60P_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):50nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2333pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1,000 AOTF11C60P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2333pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF11C60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 5.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1,000 AOTF11C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2010pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF12N60 AOTF12N60FD AOTF12N60FD_001 AOTF12N60L AOTF12N65 AOTF12N65A AOTF12T50P AOTF12T50PL AOTF12T60 AOTF12T60L AOTF12T60P AOTF12T60PL AOTF13N50 AOTF14N50 AOTF14N50FD AOTF15B60D AOTF15B60D2 AOTF15B65M1
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