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AOW296

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  • 型号
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  • AOW296
    AOW296

    AOW296

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 8500

  • isc,iscsemi

  • I2PAK/TO-262

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
AOW296 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • AlphaSGT?
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 6V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 52nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 2785pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 104W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 9.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 供应商器件封装
  • TO-262
  • 封装/外壳
  • TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 标准包装
  • 1,000
AOW296 技术参数
  • AOW292 功能描述:MOSFET NCH 100V 105A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.1 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6775pF @ 50V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AOW2918 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW290 功能描述:MOSFET NCH 100V 140A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17.5A(Ta), 140A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7180pF @ 50V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AOW284 功能描述:MOSFET N-CH 80V 15A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5154pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW25S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1278pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW7S60 AOW7S65 AOWF10N60 AOWF10N65 AOWF10T60 AOWF10T60P AOWF11A60 AOWF11C60 AOWF11N60 AOWF11N70 AOWF11S60 AOWF11S65 AOWF12N50 AOWF12N60 AOWF12N65 AOWF12T60 AOWF12T60P AOWF14N50
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