AOW296

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOW296
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：梁先生
电话：18823887255(微信同号）
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
AOS
TO-262
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： AOW298 AOW29S50 AOW418 AOW-4542P-B-R AOW-4544L-C3310-B-R AOW-4544P-C3310-B-R AOW480 AOW482 AOW4S60

AOW296 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AOW296 PDF下载

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
52nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2785pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
9.7 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
标准包装
1,000

AOW296 技术参数

AOW292 功能描述:MOSFET NCH 100V 105A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6775pF @ 50V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AOW2918 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW290 功能描述:MOSFET NCH 100V 140A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.5A(Ta), 140A(Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7180pF @ 50V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AOW284 功能描述:MOSFET N-CH 80V 15A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5154pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW25S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1278pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW7S60 AOW7S65 AOWF10N60 AOWF10N65 AOWF10T60 AOWF10T60P AOWF11A60 AOWF11C60 AOWF11N60 AOWF11N70 AOWF11S60 AOWF11S65 AOWF12N50 AOWF12N60 AOWF12N65 AOWF12T60 AOWF12T60P AOWF14N50