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APT20M20JLL_04

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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • POWER MOS 7 MOSFET
APT20M20JLL_04 技术参数
  • APT20M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):112A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):495nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11640pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT20M120JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7736pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):543W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):672 毫欧 @ 14A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 标准包装:1 APT20M120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):672 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7736pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT20M11JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):175A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT20M11JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):175A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B
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