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APT20M38SVRG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT20M38SVRG
    APT20M38SVRG

    APT20M38SVRG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • D3 [S]

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT20M38SVRG
    APT20M38SVRG

    APT20M38SVRG

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

  • -
  • 代理渠道可追溯现货库存F

  • APT20M38SVRG
    APT20M38SVRG

    APT20M38SVRG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • APT20M38SVRG
    APT20M38SVRG

    APT20M38SVRG

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • APT

  • 08+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • APT20M38SVRG
    APT20M38SVRG

    APT20M38SVRG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT20M38SVRG
    APT20M38SVRG

    APT20M38SVRG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT20M38SVRG
    APT20M38SVRG

    APT20M38SVRG

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
APT20M38SVRG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • POWER MOS V®
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
APT20M38SVRG 技术参数
  • APT20M38SVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 标准包装:1 APT20M38BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20M38BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20M22LVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):435nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10200pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT20M22LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):435nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10200pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G
配单专家

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