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APT20N60KC3

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  • APT20N60KC3
    APT20N60KC3

    APT20N60KC3

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 10000

  • isc,iscsemi

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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APT20N60KC3 技术参数
  • APT20N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 13.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 APT20M45BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20M45BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20M38SVRG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 33.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:400 APT20M38SVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 标准包装:1 APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG APT25GR120B
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