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APT40GP90B2DF2

配单专家企业名单
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  • APT40GP90B2DF2
    APT40GP90B2DF2

    APT40GP90B2DF2

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • NULL

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT40GP90B2DF2
    APT40GP90B2DF2

    APT40GP90B2DF2

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • APT

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • APT40GP90B2DF2
    APT40GP90B2DF2

    APT40GP90B2DF2

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • APT

  • 07+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • APT40GP90B2DF2
    APT40GP90B2DF2

    APT40GP90B2DF2

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 13480

  • APT

  • 直插/贴片

  • 2024+

  • -
  • 绝对装原现货

  • APT40GP90B2DF2
    APT40GP90B2DF2

    APT40GP90B2DF2

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • APT

  • 价格优势

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APT40GP90B2DF2
    APT40GP90B2DF2

    APT40GP90B2DF2

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • APT

  • 价格优势

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

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  • 1
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APT40GP90B2DF2 技术参数
  • APT40GP60SG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ(开),352μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/64ns 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3 [S] 标准包装:1 APT40GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):86A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.61nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ(开),352μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/64ns 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT40GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ(开),350μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/64ns 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 变式 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT40GLQ120JCU2 功能描述:POWER MOD 1200V 80A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):25μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT40M35JVFR APT40M42JN APT40M70JVFR APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B
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