APT40SM120J

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT40SM120J
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SOT-227
17+
-
全新原装现货

APT40SM120J
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT40SM120J
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

APT40SM120J
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
散装
1521+
-
全新原装现货

APT40SM120J
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
240
Microsemi Corporation
17+
SOT-227-4，
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
32A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
130nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2560pF @ 1000V
功率 - 最大值
165W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227
标准包装
1

APT40SM120J 技术参数

APT40SM120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT40N60JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT40N60JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT40M75JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:托盘零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:ISOTOP? 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT40M70LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:57A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40