APT60D120SG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT60D120SG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APT60D120SG
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
9000
MICROSEMI
D3PAK
2023+
-
百分百原装假一赔十

APT60D120SG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT60D120SG
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
400
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
DIODE ULT FAST 60A 1200V D3PAK
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

APT60D120SG 技术参数

APT60D120BG 功能描述:Diode Standard 1200V (1.2kV) 60A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 APT60D100SG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 60A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:280ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 APT60D100LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:280ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1000V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT60D100BG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:280ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG APT60DQ120LCTG APT60DQ60BCTG APT60DQ60BG APT60DS04HJ APT60DS10HJ APT60DS20HJ APT60GA60JD60 APT60GF120JRDQ3 APT60GF60JU2 APT60GF60JU3 APT60GT60BRG APT60GT60JR